Dietrich Widmann

Linewidth variations in photoresist patterns on profiled surfaces

Photoresist thickness nonuniformities in the vicinity of profile steps on substrate surfaces lead to linewidth variations of AZ 1350 photoresist geometries. The effect increases with increasing reflectivity of the substrate, decreasing photoresist layer thickness, and decreasing contrast transfer of the exposure system. It is shown that the photoresist linewidth is maximum when the resist thickness is a multiple of half the exposure wavelength in the resist.

Quantitative Evaluation of Photoresist Patterns in the 1-μm Range

During exposure of photoresist layers the light distribution inside the resist is essentially determined by three factors: the incident light pattern generated by the exposure system at the resist surface; the absorption of light by the photoresist; and the reflected waves at the interfaces between layers. Due to standing wave effects, regions of different light intensity are created inside the resist, leading to steplike edge contours of the photoresist after development. The shape of photoresist patterns can be calculated.

Grundzüge der Technologie von Integrierten Schaltungen

Integrierte Schaltungen werden mit Hilfe der Planartechnik hergestellt. Darunter versteht man eine Reihe von aufeinanderfolgenden technologischen Einzelprozessen an einkristallinen Halbleiterscheiben. Die Einzelprozesse lassen sich dabei folgenden vier Gruppen zuordnen: 1. Schichttechnik 2. Lithographie 3. Atztechnik 4. Dotiertechnik Die grundlegende Prozesfolge bei der Herstellung von Integrierten Schaltungen ist in Abb. 2.1 am Beispiel eines Transistors in einer Integrierten MOS-Schaltung dargestellt.

Strukturverkleinerung in der MOS-Technik

Die Strukturverkleinerung in der MOS-Technik last sich nach dem Prinzip der ahnlichen Verkleinerung durchfuhren [9.1]. Die formale Vorgehensweise zeigt Abb. 9.1.1.

Der Gesamtprozeß — Architektur und Integration

Die Entwicklung der Integrierten Schaltungen — dies gilt sowohl fur die prozestechnische wie fur die schaltungstechnische Entwickung, gleichermasen auch fur die MOS- und die Bipolartechnik — ist durch zwei Hauptzielrichtungen charakterisiert, von denen die eine zu standig hoheren Integrationsdichten fuhrt und die andere auf verbesserte und neuartige elektrische Leistungsmerkmale der Integrierten Schaltung zielt. Je nach Anwendung und Produkt steht bei der Prozes- und Schaltungsentwicklung jeweils eines dieser Ziele mehr oder weniger dominierend im Vorgergrund.