Michael Friedemann

Method of forming a conductive barrier layer having improve adhesion and resistivity characteristics

Method of forming a copper-based metallization layer including a conductive cap layer by an advanced integration regime

Method of forming a conductive barrier layer within critical openings by a final deposition step after a re-sputter deposition

Barrier layer including a titanium nitride liner for a copper metallization layer including a low-k dielectric

Method of forming a conductive barrier layer having improved coverage within critical openings

Verfahren zur Herstellung einer kupferbasierten Metallisierungsschicht mit einer leitenden Deckschicht durch ein fortschrittliches Integrationsschema

Verfahren zur Herstellung einer Kupfer-basierten Metallisierungsschicht mit einer leitenden Deckschicht durch ein verbessertes Integrationsschema A process for preparing a copper-based metallization layer with a conductive outer layer by an improved integration scheme

A process for preparing a copper-based metallization layer with a conductive outer layer by an advanced integration scheme

Barrierenschicht mit einer Titannitridbeschichtung für eine Kupfermetallisierungsschicht, die ein Dielektrikum mit kleinem epsilon aufweist

Verfahren zur Herstellung einer leitenden Barrierenschicht in kritischen Öffnungen mittels eines abschließenden Abscheideschritts nach einer Rück-Sputter-Abscheidung