Schulze Hans-Joachim | Researchain

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Network

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Hotspot

Dive into the research topics where Schulze Hans-Joachim is active.

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Publication

Featured researches published by Schulze Hans-Joachim.

Archive | 2000

Production of deep-doped regions of one conductivity type in a semiconductor body with conductivity of the opposite type comprises inserting protons or hydrogen atoms in the direction of the current flow between the electrodes

Schulze Hans-Joachim; Deboy Gerald

Archive | 2005

Leistungshalbleiterbauelement mit sanftem Abschaltverhalten

Mauder Anton; Schulze Hans-Joachim

Archive | 2007

Verfahren zur Herstellung eines Randabschlusses eines Halbleiterbauelements

Schulze Hans-Joachim; Falck Elmar; Barthelmess Reiner

Archive | 2006

Semiconductor component to act as a diode, a transistor, an insulated gate bipolar transistor or a thyristor has a semiconductor body of a first doping type with active and edge areas

Falck Elmar; Schulze Hans-Joachim; Strack Helmut; Schulze Holger

Archive | 2003

Verfahren zur Herstellung eines robusten Halbleiterbauelements

Mauder Anton; Schulze Hans-Joachim

Archive | 2008

Randabschluss für Leistungshalbleiterbauelement und für Diode sowie Verfahren zur Herstellung einer n-leitenden Zone für einen solchen Randabschluss

Mauder Anton; Schulze Hans-Joachim; Niedernostheide Franz-Josef; Falck Elmar

Archive | 2007

Verfahren zur Herstellung eines vertikalen MOS-Halbleiterbauelementes mit dünner Dielektrikumsschicht und tiefreichenden vertikalen Abschnitten

Rueb Michael; Schaefer Herbert; Willmeroth Armin; Mauder Anton; Schulze Hans-Joachim; Sedlmaier Stefan; Pfirsch Frank; Hirler Franz; Pippan Manfred; Weber Hans; Rupp Roland

Archive | 1999

Kompensationsbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung

Mauder Anton; Schulze Hans-Joachim; Deboy Gerald; Strack Helmut

Archive | 1992

Thyristor with adjustable breakover voltage, and a process for manufacturing it

Schulze Hans-Joachim; Mitlehner Heinz; Pfirsch Frank

Archive | 2009

Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkörpers mit einer Rekombinationszone, Halbleiterbauelement mit einer Rekombinationszone und Verfahren zum Herstellen eines solchen Halbleiterbauelements

Pfirsch Frank; Schulze Hans-Joachim

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Collaboration

Dive into the Schulze Hans-Joachim's collaboration.

Top Co-Authors

Mauder Anton

Infineon Technologies

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Top Co-Authors

Niedernostheide Franz-Josef

Siemens

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Top Co-Authors

Hirler Franz

Infineon Technologies

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Top Co-Authors

Strack Helmut

Infineon Technologies

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Top Co-Authors

Laven Johannes Georg

Infineon Technologies

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Top Co-Authors

Pfirsch Frank

Infineon Technologies

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Top Co-Authors

Rupp Roland

Infineon Technologies

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Top Co-Authors

Barthelmess Reiner

Infineon Technologies

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Top Co-Authors

Irsigler Peter

Infineon Technologies

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Top Co-Authors

Schustereder Werner

Infineon Technologies

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