Annekathrin Zeun

Enhancing deposition uniformity of a channel semiconductor alloy by an in situ etch process

FORMATION OF A CHANNEL SEMICONDUCTOR ALLOY BY DEPOSITING A HARD MASK FOR THE SELECTIVE EPITAXIAL GROWTH

Erhöhen der Abscheidegleichmäßigkeit für eine Halbleiterlegierung durch einen in-situ-Ätzprozess

SiGe channels for VT control of high-k metal gate transistors for 32 nm complementary metal oxide semiconductor technology and beyond

ENHANCING INTERFACE CHARACTERISTICS BETWEEN A CHANNEL SEMICONDUCTOR ALLOY AND A GATE DIELECTRIC BY AN OXIDATION PROCESS

Control of topography and morphology for channel SiGe by in-situ HCl etching for future CMOS technologies with high-K metal gate

Semiconductor device with reduced threshold variability having a threshold adjusting semiconductor alloy in the device active region

Verbesserung der Gateflächeneigenschaften zwischen einer Kanalhalbleiterlegierung und einem Gatedielektrikum mittels eines Oxidationsprozesses

Herstellung einer Kanalhalbleiterlegierung durch Abscheiden einer Hartmaske für das selektive epitaktische Aufwachsen Producing a channel semiconductor alloy by depositing a hard mask for selective epitaxial growth

Verfahren zur Herstellung von Gatestrukturen mit verbesserten Grenzflächeneigenschaften zwischen einer Kanalhalbleiterlegierung und einem Gatedielektrikum mittels eines Oxidationsprozesses A process for the manufacture of gate structures having improved interfacial characteristics between a semiconductor alloy channel and a gate dielectric by means of an oxidation process