Johann Harter

Dram cell pair and dram memory cell array

Method for fabricating field-effect transistor structures with gate electrodes with a metal layer

FIELD-EFFECT TRANSISTOR STRUCTURES WITH GATE ELECTRODES WITH A METAL LAYER

DRAM-Zellenpaar und DRAM-Speicherzellenfeld mit Stack- und Trench-Speicherzellen sowie Verfahren zur Herstellung eines DRAM-Speicherzellenfeldes

Verfahren zur Herstellung von Feldeffekttransistorstrukturen mit Gateelektroden mit einer Metalllage

Verfahren zur Herstellung einer Kontaktanordnung für Feldeffekttransistorstrukturen mit Gateelektroden mit einer Metalllage und Verwendung des Verfahrens zur Herstellung von Feldeffekttransistoranordnungen in einem Zellenfeld

DRAM-Zellenpaar und DRAM-Speicherzellenfeld mit Stack- und Trench-Speicherzellen sowie Verfahren zur Herstellung eines DRAM-Speicherzellenfeldes DRAM cell pair and DRAM memory cell array with a stack and trench memory cells and method of manufacturing a DRAM memory cell array

Verfahren zur Herstellung von Feldeffekttransistorstrukturen mit Gateelektroden mit einer Metalllage Process for the preparation of field effect transistor structures with gate electrodes having a metal layer

Verfahren zur Herstellung einer Kontaktanordnung für Feldeffekttransistorstrukturen mit Gateelektroden mit einer Metalllage und Verwendung des Verfahrens zur Herstellung von Feldeffekttransistoranordnungen in einem Zellenfeld A method for fabricating a contact assembly for field effect transistor structures with gate electrodes having a metal layer and using the method for the preparation of field effect transistor devices in a cell array

A method for fabricating a contact assembly for field effect transistor structures with gate electrodes having a metal layer and using the method for fabricating field effect transistor devices in a cell array