Ulrike Grüning

Memory cell arrangement for solid electrolyte memory cells has lower electrode and upper electrode and activated solid electrolyte material area between them as memory material area and whole of material area is coherently designed

Method of producing an open form

Optical structure and method for producing the same

Optical structure and process for manufacturing the same

Improved process for buried-strap self-aligned to deep storage trench

Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und ein entsprechendes Halbleiterbauelement

DRAM-Zellenpaar und DRAM-Speicherzellenfeld mit Stack- und Trench-Speicherzellen sowie Verfahren zur Herstellung eines DRAM-Speicherzellenfeldes

Speicherzellenanordnung, Verfahren zu deren Herstellung und Halbleiterspeichereinrichtung

DRAM-Zellenpaar und DRAM-Speicherzellenfeld mit Stack- und Trench-Speicherzellen sowie Verfahren zur Herstellung eines DRAM-Speicherzellenfeldes DRAM cell pair and DRAM memory cell array with a stack and trench memory cells and method of manufacturing a DRAM memory cell array

DRAM cell pair and DRAM memory cell array having stack and trench memory cells and method of manufacturing a DRAM memory cell array