Wolf Allers

Time-differential sense amplifier for sub-80mV bitline voltage embedded STT-MRAM in 40nm CMOS

Spin-torque-transfer (STT) MRAM is a promising candidate for embedded non-volatile memory in next generation microcontrollers, because of superior endurance, low process costs and logic supply voltage operation. Two major drawbacks of STT-MRAM technology are the small read window because of the low tunnel magnetic resistance (TMR) ratio, and the low read current due to read disturb, which is proportional to the bitline (BL) voltage [1].

Atomen auf den Zahn gefühlt: Dynamische Rasterkraftmikroskopie

Das Rasterkraftmikroskop hat gegenuber dem Rastertunnelmikroskop den Vorteil, dass es auch Oberflachen von nicht leitenden Materialien abbilden kann. Die moderne dynamische Rasterkraftmikroskopie erreicht im Nicht-Kontakt-Modus die Auflosung einzelner Atome und Fehlstellen. Das wurde an verschiedenen anorganischen und organischen Materialien demonstriert. Die dynamische Rasterkraftmikroskopie kann daruber hinaus auch Krafte an Oberflachen auf der atomaren Skala ausmessen. Wegen dieser Vorteile wird sie voraussichtlich fur die Oberflachenphysik wichtiger werden als das Rastertunnelmikroskop