Frank Seliger

Cap layer removal in a high-K metal gate stack by using an etch process

ENHANCED CAP LAYER INTEGRITY IN A HIGH-K METAL GATE STACK BY USING A HARD MASK FOR OFFSET SPACER PATTERNING

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Corner rounding in a replacement gate approach based on a sacrificial fill material applied prior to work function metal deposition

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Abtrag einer Deckschicht in einem Metallgatestapel mit großem ε unter Anwendung eines Ätzprozesses

CAP REMOVAL IN A HIGH-K METAL GATE ELECTRODE STRUCTURE BY USING A SACRIFICIAL FILL MATERIAL

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Verbesserte Deckschichtintegrität in einem Metallgatestapel mit großem ε durch Verwenden einer Hartmaske für die Abstandshalterstrukturierung

Kantenverrundung in einem Austauschgateverfahren auf der Grundlage eines Opferfüllmaterials, das vor der Abscheidung des Austrittsarbeitsmetalls aufgebracht wird