Iii Charles William Koburger

Method for fabricating self-passivated composite silicon-silicide conductive electrodes

Forming wide dielectric filled isolation trenches in semiconductors

IMPLANTATION OF GATE REGIONS IN SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION

Integrated circuit dielectric having oriented cylindrical voids

Vertically isolated complementary transistor structures

Y-shaped carbon nanotubes as afm probe for analyzing substrates with angled topography, method for their manufacture, method for performing atomic force microscopy and method for selectively modifying the surface of a substrate using said y-shaped nanotubes

METHOD FOR FORMING A REMOVABLE EDGE EXTENSION ELEMENT

Y-förmige kohlenstoffnanoröhrchen als afm-sonde zur analyse von substraten mit gewinkelter topographie, verfahren zur deren herstellung, verfahren zur durchfürung von rasterkraftmikroskopie und zur selektiven modifizierung der oberfläche eines substrates, das die y-förmigen kohlenstoffnanoröhrchen verwenden

Y-förmige kohlenstoffnanoröhrchen als afm-sonde zur analyse von substraten mit gewinkelter topographie

Verfahren zur herstellung verspannter silizium-auf-isolator-strukturen und dadurch gebildete verspannte silizium-auf-isolator-strukturen