Jörg Hohage

A copper-dielectric cap interface with high resistance to electromigration for high performance semiconductor devices

Verbesserter Verspannungsübertragungsmechanismus in einem Zwischenschichtdielektrikum unter Anwendung einer zusätzlichen Verspannungsschicht über einer Doppelverspannungsbeschichtung in einem Halbleiterbauelement

Production of insulated covering layer forming efficient diffusion barrier for e.g. copper metallization layer of integrated circuits, employs thermo-chemical cleaning and silane-based surface pretreatment

Verfahren zum Schutz von reaktiven Metalloberflächen von Halbleiterbauelementen während des Transports durch Bereitstellen einer zusätzlichen Schutzschicht A method for the protection of reactive metal surfaces of semiconductor devices during transport by providing an additional protective layer

Nicht-isolierende verspannte Materialschichten in einer Kontaktebene von Halbleiterbauelementen Insulating non-strained material layers in a plane of contact of semiconductor devices

Halbleiterbauelement mit nicht-isolierenden verspannten Materialschichten in einer Kontaktebene und Verfahren zu dessen Herstellung A semiconductor device having non-insulating strained material layers in a contact plane and process for its preparation

Improved stress transfer mechanism in an interlayer dielectric by using an additional stress layer on a double bracing coating in a semiconductor device

Verbesserter Verspannungsübertragungsmechanismus in einem Zwischenschichtdielektrikum unter Anwendung einer zusätzlichen Verspannungsschicht über einer Doppelverspannungsbeschichtung in einem Halbleiterbauelement Improved stress transfer mechanism in an interlayer dielectric using an additional strain layer on a double stress coating in a semiconductor device

Semiconductor structure has metal region and dielectric layer of low dielectric constant with a three layer barrier stack of silicon carbide nitride and silicon nitride

Semiconductor structure and production process for a dielectric barrier stack has metal region and dielectric layer of low dielectric constant and barrier layer stack having two layers