Martin Gerhardt

Technique for transferring strain into a semiconductor region

METHOD FOR FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED STRESSOR AND EXTENSION REGIONS

METHOD FOR FORMING ULTRA-SHALLOW HIGH QUALITY JUNCTIONS BY A COMBINATION OF SOLID PHASE EPITAXY AND LASER ANNEALING

ENHANCED STRESS TRANSFER IN AN INTERLAYER DIELECTRIC BY USING AN ADDITIONAL STRESS LAYER ABOVE A DUAL STRESS LINER IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Methods for fabricating a CMOS device including silicide contacts

Verfahren zur Herstellung verformter Transistoren durch Verspannungskonservierung auf der Grundlage einer verspannten Implantationsmaske

Verbesserter Verspannungsübertragungsmechanismus in einem Zwischenschichtdielektrikum unter Anwendung einer zusätzlichen Verspannungsschicht über einer Doppelverspannungsbeschichtung in einem Halbleiterbauelement

Technik zur Verbesserung des Transistorleitungsverhaltens durch eine transistorspezifische Kontaktgestaltung

Technik für die Verformungserzeugung in siliziumbasierten Transistoren durch Anwendung von Implantationstechniken zur Herstellung einer verformungsinduzierenden Schicht unter dem Kanalgebiet

Verbesserte Verspannungsübertragung in einem Zwischenschichtdielektrikum durch Verwendung einer zusätzlichen Verspannungsschicht über einer Schicht mit dualer Verspannung in einem Halbleiterbauelement