Peter Huebler

Method of patterning a low-k dielectric using a hard mask

Technique for forming copper-containing lines embedded in a low-k dielectric by providing a stiffening layer

Method for cleaning the surface of a substrate

Void formation monitoring method for damascene structures, involves forming and cutting test structures then inspecting cross-sectional view and investigating void formation in damascene structure

Method of forming electrically conductive lines in an integrated circuit

Halbleiterbauelement mit einem Hybrid-Metallisierungsschichtstapel für eine verbesserte mechanische Festigkeit während und nach dem Einbringen in ein Gehäuse

Verfahren zum Ausbilden elektrisch leitfähiger Leitungen in einem integrierten Schaltkreis

Low-k dielectric layer patterning method for integrated circuits, involves forming patterned hard mask above low-k dielectric layer of semiconductor metallization layer

Ätzstoppschicht mit geringerer Dicke zum Strukturieren eines dielektrischen Materials in einer Kontaktebene dichtliegender Transistoren

Ätzstoppschicht mit geringerer Dicke zum Strukturieren eines dielektrischen Materials in einer Kontaktebene dichtliegender Transistoren Etch stop layer with reduced thickness for patterning a dielectric material in a contact plane lying close transistors