Andrew Dr. Graham

Nichtflüchtige Speicherzelle, Speicherzellen-Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer nichtflüchtigen Speicherzelle

Speicherzelle, Speicherzellen-Anordnung, Strukturier-Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer Speicherzelle

Integriertes elektronisches Bauelement mit gezielt erzeugten Nanoröhren in vertikalen Strukturen und dessen Herstellungsverfahren An integrated electronic device with selectively produced nanotubes in vertical structures and its manufacturing method

A method for producing a nano-element arrangement and nano-element arrangement

Vertically integrated field-effect transistor, the field effect transistor arrangement and method for fabricating a vertically integrated field-effect transistor

Vertikal integrierter Feldeffekttransistor, Feldeffekttransistor-Anordnung und Verfahren zum Herstellen eines vertikal integrierten Feldeffekttransistors

Vertikal integrierter Feldeffekttransistor, Feldeffekttransistor-Anordnung und Verfahren zum Herstellen eines vertikal integrierten Feldeffekttransistors Vertically integrated field-effect transistor, field effect transistor arrangement and method for manufacturing a vertically-integrated field-effect transistor

Verfahren zum Herstellen einer Nanoelement-Anordnung und Nanoelement-Anordnung

Production of a nano-element arrangement used in microelectronics comprises partially covering a first nano-element with a catalyst material to catalyze

Nichtflüchtige Speicherzelle, Speicherzellen-Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer nichtflüchtigen Speicherzelle A non-volatile memory cell, memory cell arrangement and method of manufacturing a non-volatile memory cell