Joe Bloomquist

SOI TRANSISTOR HAVING A REDUCED BODY POTENTIAL AND A METHOD OF FORMING THE SAME

TECHNIQUE FOR PROVIDING STRESS SOURCES IN TRANSISTORS IN CLOSE PROXIMITY TO A CHANNEL REGION BY RECESSING DRAIN AND SOURCE REGIONS

METHOD OF INCREASING TRANSISTOR PERFORMANCE BY DOPANT ACTIVATION AFTER SILICIDATION

Method of forming a semiconductor structure comprising an implantation of ions in a material layer to be etched

FIELD EFFECT TRANSISTOR COMPRISING A STRESSED CHANNEL REGION AND METHOD OF FORMING THE SAME

Technik zur Bereitstellung von Verspannungsquellen in Transistoren in unmittelbarer Nähe zu einem Kanalgebiet durch Vertiefen von Drain- und Source-Gebieten

Transistor mit abgesenkten Drain- und Source-Gebieten und Verfahren zur Herstellung desselben

Method of making a semiconductor device comprising isolation trenches inducing different types of strain

Verfahren zum Ausbilden einer Halbleiterstruktur, das eine Implantation von Ionen in eine zu ätzende Materialschicht umfasst

Verfahren zur Steigerung des Transistorsleitungsvermögens durch Dotierstoffaktivierung nach der Silizidierung