Heike Berthold

Threshold adjustment for MOS devices by adapting a spacer width prior to implantation

Double deposition of a stress-inducing layer in an interlayer dielectric with intermediate stress relaxation in a semiconductor device

HIGH-K GATE ELECTRODE STRUCTURE FORMED AFTER TRANSISTOR FABRICATION BY USING A SPACER

METHOD FOR SELECTIVELY REMOVING A SPACER IN A DUAL STRESS LINER APPROACH

Verfahren zur Einstellung der Höhe einer Gateelektrode in einem Halbleiterbauelement

Schwellwerteinstellung für MOS-Elemente durch Anpassen einer Abstandshalterbreite vor der Implantation

Tension reduction during the introduction of a chip into a housing by means of a trained around the chip voltage compensation region

Verspannungsverringerung beim Einbringen eines Chips in ein Gehäuse mittels eines um den Chip herum ausgebildeten Spannungskompensationsgebiets Tension reduction during the introduction of a chip into a housing by means of a trained around the chip voltage compensation area

Gateelektrodenstruktur mit großem epsilon, die nach der Transistorherstellung unter Anwendung eines Abstandshalters gebildet wird

Verfahren zum selektiven Entfernen eines Abstandshalters in einem dualen Verspannungsschichtverfahren